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磁控濺射技術的優缺點分析介紹

作者: 來源: 日期:2019-04-17 23:44:10 人氣:1266
        磁控濺射技術自誕生以來,得到了較快的發展和較廣的應用,對其他鍍膜方法的發展產生了很大的影響。通過大量的實踐,浦元真空總結出這種技術的優缺點,如下文所示。

  優點:
  1.沉積速率高,襯底溫升低,對薄膜損傷??;
  2.對于大多數材料,只要能制造出靶材,就可以實現濺射;
  3.濺射得到的薄膜與基底結合良好;
  4.濺射得到的薄膜純度較高,密度好,均勻性好;
  5.結果表明,濺射工藝具有良好的重復性,在大面積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜;
  6.可以準確控制涂層厚度,通過改變參數來控制薄膜的粒徑;
  7.不同的金屬、合金和氧化物可以混合,同時濺射在基體上;
  8.易于工業化。


  但是磁控濺射也存在一些問題
  1.該技術所使用的環形磁場迫使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因此,由環形磁場控制的區域是等離子體密度較高的區域。在該技術中,我們可以看到濺射氣體氬在這一區域發出強烈的淡藍色光芒,形成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的部分,它會濺出一個圓形的溝槽。環形磁場是電子運動的軌道,環形輝光和溝槽生動地表現了這一點。靶材的濺射槽一旦穿透靶材,整個靶材就會報廢,靶材利用率不高,一般低于40%;
  2.等離子體不穩定;
  3.由于基本的磁通量均不能通過磁性靶,所以在靶面附近不可能產生外加磁場。
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