磁控濺射具有以下兩大優(yōu)點(diǎn)：提高等離子密度，從而提高濺射速度；減少轟擊零件的電子數(shù)目，因而降低了基材因電子轟擊的升溫。

因此，該技術(shù)在薄膜技術(shù)中占有主導(dǎo)地位。磁控濺射陰極的最大缺點(diǎn)：使用平面靶材，靶材在跑道區(qū)形成濺射溝道，這溝道一旦貫穿靶材，則整塊靶材即報(bào)廢，因而靶材的利用率只有20-30%。

不過(guò)，目前為了避免這個(gè)缺點(diǎn)，很多靶材采用圓柱靶材形式，靶材利用率得以大幅度提高。