直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎上，在靶材后面安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造成靶材表面電荷積累，從而導致濺射無法進行。所以對于純金屬靶材的濺射，均采用直流磁控濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化物、碳化物等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起于基材上沉積。

對于一些不易找到的塊材料制成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍后，薄膜成分易偏離原靶材成分，也可通過反應沉積來獲得改善。